MOS管工作于弱反型区时的失调分析 彭静玉 【期刊名称】《苏州大学学报（工科版）》 【年(卷),期】2008(028)003 【摘 要】在电子工业的许多产品领域(如手机、笔记本计算机等),低功耗技术很重要,而将MOS管rn偏置在亚阈值区是很好的途径.首先介绍了弱反型区模型,然后在定性分析失调的基础上,推导了rn电流镜和简单差分放大器的失调表达式,指出了MOS管工作于弱反型区时的失调因素,从而为在设rn计过程中如何降低失调提供了理论依据. 【总页数】4页(P40-43) 【作 者】彭静玉 【作者单位】苏州大学应用技术学院,江苏苏州215006 【正文语种】中 文 【中图分类】TP311 【相关文献】 1.基于弱反型的宽工作电压OTA研究设计 [J], 李亮;陈珍海 2.苏区时期中共“反富农”问题的逻辑分析 [J], 孙启正 3.40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取 [J], 王林;王军;王丹丹 4.MOS管工作于弱反型区时的噪声分析 [J], 瞿江峰 5.钢筋砼上柱弱型和下柱弱型等高排架结构的位移延性与延性分析 [J], 孙克俭 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.wddqw.com/doc/680a6ebcbfeb19e8b8f67c1cfad6195f302be846.html