硅中氮离子注入的研究进展 裴艳丽;杨德仁 【期刊名称】《材料导报》 【年(卷),期】2003(017)002 【摘 要】综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展.主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能;介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原予扩散等方面的研究和应用. 【总页数】4页(P69-72) 【作 者】裴艳丽;杨德仁 【作者单位】浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 【正文语种】中 文 【中图分类】TB32 【相关文献】 1.磁铁矿中硅的赋存状态研究进展:兼论新疆雅满苏铁矿床中磁铁矿晶体化学特征 [J], 董斌斌;黎广荣;郭福生;王哲;金腾瑞 2.分离三氯氢硅中甲基二氯硅烷的研究进展 [J], 杨典;王芳;万烨;孙强;张征;时庆合 3.2020年中国光伏技术发展报告——晶体硅太阳电池研究进展(8) [J], 中国可再生能源学会光伏专业委员会 4.2020年中国光伏技术发展报告——晶体硅太阳电池研究进展(9) [J], 中国可再生能源学会光伏专业委员会 5.用氮离子注入硅中抑制SiO_2的生长 [J], 杨义祥 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.wddqw.com/doc/de4ec93decf9aef8941ea76e58fafab069dc44e5.html