英飞凌推出集成快速体二极管的65V CoolMOS CFD2产品

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英飞凌推出集成快速体二极管的65V CoolMOS CFD2产品

无

【期刊名称】《中国电子商情：基础电子》【年(卷),期】2011(000)006

【摘要】英飞凌的最新一代高压CoolMOS MOSFETIR得了又一项创新，设立了能效的新标准。这个新的CFD2器件延续了600VCFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰（EMI），提升产品的竞争优势。

【总页数】1页(P82-82) 【作者】无【作者单位】不详【正文语种】中文【中图分类】TN31 【相关文献】

1.英飞凌推出改进型第三代碳化硅肖特基二极管新产品 [J],

2.英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET [J], 3.英飞凌推出新型950V CoolMOS P7超结MOSFET器件 [J], ; 4.英飞凌推出用于服务器的CoolMOS CS系列高压功率晶体管 [J], 5.英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS^TMC7 [J],

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本文来源：https://www.wddqw.com/doc/4e618a50dd80d4d8d15abe23482fb4daa58d1dd2.html

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