用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作(英文) 马龙;黄应龙;张杨;王良臣;杨富华;曾一平 【期刊名称】《半导体学报：英文版》 【年(卷),期】2006(27)6 【摘 要】在InP衬底上采用感应耦合等离子体刻蚀技术制备了高性能的AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs共振隧穿二极管.正向偏压下PVCR=7.57,Jp=39.08kA/cm2;反向偏压下PVCR=7.93,Jp=34.56kA/cm2.在未去除测试电极和引线等寄生参数影响下,面积为5μm×5μm的RTD的阻性截止频率为18.75GHz.最后对非对称的I- V特性进行了分析讨论. 【总页数】4页(P959-962) 【关键词】共振隧穿二极管;感应耦合等离子体;I-V特性;高频 【作 者】马龙;黄应龙;张杨;王良臣;杨富华;曾一平 【作者单位】中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心;中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室;中国科学院半导体研究所新材料实验室 【正文语种】中 文 【中图分类】TN31 【相关文献】 1.纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现 [J], 张杨;曾一平;马龙;王保强;朱战平;王良臣;杨富华 2.InP基谐振隧穿二极管的研究 [J], 李亚丽;张雄文;冯震;周瑞;张志国 3.室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的 双势垒共振隧穿二极管(英文) [J], 易里成荣;谢常青;王从舜;刘明;叶甜春 4.一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制 [J], 齐海涛;冯震;李亚丽;张雄文;商耀辉;郭维廉 5.一种利用共振隧穿二极管简化电路的分频器设计(英文) [J], 杜睿;戴杨;杨富华 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.wddqw.com/doc/a590d706ae02de80d4d8d15abe23482fb5da0261.html