K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性 蔡亲佳;陈国荣;莫晓亮;范智勇;顾海华;姚彦;杨剑;华中一;徐华华 【期刊名称】《真空科学与技术》 【年(卷),期】2001(21)5 【摘 要】在真空环境下 ,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜 ,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同。但不同的是 ,在 30 0K以上 ,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性。 【总页数】4页(P364-367) 【关键词】固态化学置换反应;K(TCNQ)薄膜;电双稳特性;电荷转移络合物;7,7,8,8-四氰基苯酯二甲烷 【作 者】蔡亲佳;陈国荣;莫晓亮;范智勇;顾海华;姚彦;杨剑;华中一;徐华华 【作者单位】复旦大学材料科学系;复旦大学化学系 【正文语种】中 文 【中图分类】O484.42 【相关文献】 1.Ag-TCNQ电双稳薄膜的疲劳和锻炼效应研究 [J], 蒋益明;谢亨博;郭峰;万星拱;李劲 2.制备工艺对PAR电双稳薄膜电特性的影响 [J], 谢亨博;蒋益明;郭峰;万星拱;李劲 3.纳米结构Ag-TCNQ电双稳薄膜的制备及分析 [J], 王伟军;张群;吉小松;严学俭;章壮健;华中一 4.纳米晶粒Ag-TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性 [J], 叶钢锋;严学俭;潘钢;张群;章壮健;华中一 5.酞菁铜(CuPc)薄膜器件的制备及其电双稳特性 [J], 李训栓;彭应全;宋长安;杨青森;赵明;袁建挺;王宏 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.wddqw.com/doc/edb49dbd142ded630b1c59eef8c75fbfc77d9498.html