NMOSFET低温阈值特性的研究 刘卫东;魏同立 【期刊名称】《东南大学学报：自然科学版》 【年(卷),期】1993(023)003 【摘 要】本文对N沟多晶硅栅MOSFET的低温(77 K)阈值特性进行了理论和实验研究.结果表明,理论分析和测试结果一致,而且与器件的室温特性相比,77 K下器件的亚阈值和阈值电压特性以及衬底灵敏度均得到改善.基于这些结果,本文也给出了适于低温工作的增强型MOSFET的设计原则. 【总页数】6页(P35-40) 【作 者】刘卫东;魏同立 【作者单位】不详;不详 【正文语种】中 文 【中图分类】TN432 【相关文献】 1.绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究 [J], 毕津顺;吴峻峰;李瑞贞;海潮和 2.基于阈值电压的环栅肖特基势垒NMOSFET漏源电流模型 [J], 沈师泽; 许立军 3.应变Si沟道NMOSFET阈值电压特性研究 [J], 张志锋;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;宋建军 4.动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性 [J], 毕津顺;海潮和 5.双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟(英文) [J], 毕津顺;吴峻峰;海潮和 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.wddqw.com/doc/224c00ac07a1b0717fd5360cba1aa81144318fa2.html