HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应 顾美渔;周树鑫 【期刊名称】《固体电子学研究与进展》 【年(卷),期】1992(12)4 【摘 要】用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10^(13)～1×10^(16)p/cm^2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H^+二级过程解释。 【总页数】5页(P357-361) 【关键词】MOS结构;界面陷阱;MOS集成电路 【作 者】顾美渔;周树鑫 【作者单位】上海科技大学物理系;上海射线应用研究所 【正文语种】中 文 【中图分类】TN432 【相关文献】 1.BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量 [J], 张正选;罗晋生;袁仁峰;张廷庆;姜景和 2.MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量 [J], 范隆;靳涛;杨祖慎;杨志安 3.质子辐照下Mo/Si多层膜反射镜的微观结构状态 [J], 关庆丰;吕鹏;王孝东;万明珍;顾倩倩;陈波 4.Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷 [J], 蔡小五;海潮和;王立新;陆江;刘刚;夏洋 5.MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质 [J], 郭红霞;张义门;陈雨生;周辉;龚仁喜;何宝平;关颖;韩福斌;龚建成 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.wddqw.com/doc/a958f27dbe64783e0912a21614791711cd79791e.html